Concentrações de silício e GA3 na propagação in vitro de orquídea em condição de luz natural
DOI:
https://doi.org/10.18188/sap.v12i4.5700Palavras-chave:
Cattleya loddigesii, regulador de crescimento, orchidaceae.Resumo
O presente trabalho teve como objetivo avaliar concentrações de Si e GA3 sobre as características de crescimento e multiplicação de orquídea sob luz natural. Plântulas de Cattleya loddigesii, oriundas de sementes produzidas por autofecundação e germinadas in vitro, foram submetidas à uniformização, em meio de cultura KC modificado, durante três meses. Cada frasco conteve quatro plântulas de aproximadamente 1,0 cm de comprimento (explante) e 15 mL de meio de cultura KC; acrescido 2 g L-1 de carvão ativado. Os tratamentos consistiram de combinações de silicato de sódio (0, 5, 10 e 15 mg L-1) e GA3 (0, 5, 10 e 15 mg L-1). O meio de cultura teve seu pH ajustado para 5,8 ± 0,1 e solidificado com 5 g L-1 de ágar antes do processo de autoclavagem. As culturas foram mantidas em casa de vegetação. O delineamento experimental foi inteiramente casualizado, com 5 repetições e 20 explantes por tratamento. Ao final de 120 dias foram avaliados número de folhas, número de brotos, número de raízes, comprimento médio de raízes e da parte aérea. O cultivo in vitro de C. loddigesii sob luz natural dependeu das concentrações de silicato de sódio e GA3, sendo que os melhores resultados foram verificados com 0-10 mg L-1 de GA3 associada a 0-5 mg L-1 de silicato de sódio.
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